快闪记忆体 - Read Write Word

快闪记忆体 API 使用 3 * 4K 位元组 (12Kb) 的内存，通常足以满足大多数应用程式的需要。然而，可以透过指定特定的记忆体位址和所需的大小来提供更大的记忆体。
在本范例中，指定快闪记忆体的起始位址为0xFD000（“FLASH_MEMORY_APP_BASE”），大小为0x1000。使用偏移0x1F00，即快闪记忆体中的0xFD000 + 0x1E00 = 0xFEE00。 读取位址的值，然后加1。接下来，将新值写入相同位址。最后一步，再次从位址读取值并与增加的值进行比较。如果值相同则证明读写一个字成功。每次 Ameba 重新启动时，读取值都会增加，直到“RESET_THRESHOLD”（最高 0xFFFFFFFF），然后重设为 0。
在“File”->“Examples”->“AmebaFlashMemory”->“ReadWriteWord”中开启范例程式码。编译并上传到Ameba，然后多次按重置按钮。开启Serial Monitor查看结果。

预设情况下，Flash Memory API 使用位址 0xFD000~0xFFFFF 来储存资料。写入快闪记忆体时存在限制。
就是不允许直接将资料写入到上次写入时所使用的相同位址，除非先清除该磁区。快闪记忆体 API 有 1 个与清除相关的函数。
• 使用“FlashMemory.eraseSector(sector_offset)”清除快闪记忆体目标位址的一个磁区（4K 位元组）。
• 使用“FlashMemory.eraseWord(offset)”清除快闪记忆体目标位址的一个字（4 个位元组）。